半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱

半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱特別適用于半導體電子器件做溫度破壞測試，主要測試半導體電子器件材料結構在瞬間下經(jīng)*溫及極低溫的連續沖擊環(huán)境下所能忍受的程度，得以在短時(shí)間內檢測試樣因熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害。本試驗箱根據試驗需求及測試標準分為三箱式和兩箱式，區別在于試驗方式和內部結構不同。三箱式分為蓄冷室，蓄熱室和試驗室，產(chǎn)品在測試時(shí)是放置在試驗室。兩箱式分為高溫室和低溫室，是通過(guò)電機帶動(dòng)提籃運動(dòng)來(lái)實(shí)現高低溫的切換，產(chǎn)品放在提籃里，是隨提籃一起移動(dòng)的。

質(zhì)量?jì)?yōu)勢：主要核心配件均采用*的配件如法國泰康或德國比澤爾壓縮機，控制器有韓國三元、日本OYO、中國臺灣臺通三*供客戶(hù)選擇，繼電器有日本路宮、和泉、三菱、施耐德，美國杜邦環(huán)保冷媒，丹麥(DANFOSS)、瑞典（AlfaLaval）等配件，假一罰十，能確保冷熱沖擊試驗箱長(cháng)期正常高效的運行。

半導體器件（semiconductor device）通常，這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區別，有時(shí)也稱(chēng)為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結構是一個(gè)PN結。利用不同的半導體材料、采用不同的工藝和幾何結構，已研制出種類(lèi)繁多、功能用途各異的多種晶體二極，可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉換。晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱(chēng)晶體三極管）。

半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱技術(shù)參數表：

冷熱沖擊試驗箱型號：LQ-TS-80A；LQ-TS-80B；LQ-TS-80C；LQ-TS-150A；LQ-TS-150B；LQ-TS-150C LQ-TS-250A；LQ-TS-250B；LQ-TS-250C；LQ-TS-1000A；LQ-TS-1000B；LQ-TS-1000C

標稱(chēng)內容積（升）：80；150；250；300

試驗方式：氣動(dòng)風(fēng)門(mén)切換2溫室或3溫室方式

性能

高溫室預熱溫度范圍：＋60～＋200℃

升溫速率：＋60→＋200℃≤30分鐘

低溫室預冷溫度范圍：－75－0℃

降溫速率：＋20→－75℃≤30分鐘

試驗室溫度偏差：±2℃

溫度范圍TSL:（+60→+150）℃→（-40－-10）℃;

TSU:（+60～+150）℃～（-55～-10）℃;

TSS:（+60～+150）℃～（-65～-10）℃

溫度恢復時(shí)間※2 5分鐘以?xún)?/span>

試樣擱架承載能力：30kg

試樣重量7.5kg；7.5kg；10kg；10kg

內部尺寸（mm）：W 500 600 700 1000

H 400 500 600 1000

D 400 500 600 1000

溫度上升和溫度下降均為各恒溫試驗箱單獨運轉時(shí)的性能。